STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCTH35
- RS-artikelnummer:
- 201-0891P
- Tillv. art.nr:
- SCTH35N65G2V-7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 201-0891P
- Tillv. art.nr:
- SCTH35N65G2V-7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 45 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 650 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 7 | |
| Kapseltyp | H2PAK-7 | |
| Serie | SCTH35 | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 0.055 Ω | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 45 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 650 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 7 | ||
Kapseltyp H2PAK-7 | ||
Serie SCTH35 | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 0.055 Ω | ||
Typ av fäste Yta | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance