onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 25 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
195-2556
Tillv. art.nr:
NVMFD6H852NLWFT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

31.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

3.2W

Framåtriktad spänning Vf

800mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Höjd

1.05mm

Bredd

5.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Litet fotavtryck (5 x 6 mm) för kompakt design

Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster

Låg QG och kapacitet för att minimera drivrutinsförluster

NVMFD6H852NLWF − Vätbart flankalternativ för förbättrad optisk inspektion

PPAP-kapacitet

Dessa enheter är blyfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.