onsemi N Kanal, MOSFET, 57.8 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS010N10MCL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 195-2553
- Tillv. art.nr:
- NVTFS010N10MCLTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
9 780,00 kr
(exkl. moms)
12 225,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- Dessutom levereras 4 500 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 6,52 kr | 9 780,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 195-2553
- Tillv. art.nr:
- NVTFS010N10MCLTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 57.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | NVTFS010N10MCL | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 77.8W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 750μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 57.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie NVTFS010N10MCL | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 77.8W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 750μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET i 3x3mm platt kapsling designad för kompakta och effektiva konstruktioner och med hög termisk prestanda. Option för vätbar flank tillgänglig för förbättrad optisk inspektion. MOSFET och PPAP-anpassad för applikationer inom fordonsindustrin.
Litet fotavtryck (3x3 mm)
Kompakt design
Låg på-resistans
Minimerar ledningsförlusterna
Låg kapacitans
Minimera förarförlusterna
PPAP-kapacitet
Lämplig för fordonstillämpningar
Användning
Reverser Batteriskydd
Strömställare (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
Växlande strömförsörjning
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 57.8 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS010N10MCL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 85 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 107 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 109 A 60 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS5C658NL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 68 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS6H850N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 107 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS5C453NL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS015N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS6H888N AEC-Q101