onsemi N Kanal, MOSFET, 164 A 60 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS2D5N06CL AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
195-2507
Tillv. art.nr:
NVMJS2D5N06CLTWG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

164A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

LFPAK

Serie

NVMJS2D5N06CL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

52nC

Maximal effektförlust Pd

113W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Höjd

1.15mm

Bredd

4.9mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm LFPAK-paket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. MOSFET- och PPAP-kapacitet lämplig för fordonstillämpningar som kräver förbättrad tillförlitlighet på kortnivå.

Litet fotavtryck (5 x 6 mm) för kompakt design

Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster

Låg QG och kapacitet för att minimera drivrutinsförluster

LFPAK8-paket, industristandard

PPAP-kapacitet

Dessa enheter är blyfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.