STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
192-4952
Tillv. art.nr:
STP26N65DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Antal element per chip

1

Kanaltyp

N

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

25 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

650 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

3

Kapseltyp

TO-220

Fordonsstandard

Nej

Framåtriktad spänning (Vf)

1.6 V

Höjd

15.75 mm

Längd

10.4 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

190 Ω

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

25 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

160 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta, Genomgående hål, Genomgående hål

Standarder/godkännanden

FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

35.5 nC

Bredd

4.6 mm

COO (ursprungsland):
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.