STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 188-8543P
- Tillv. art.nr:
- STS7NF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
648,60 kr
(exkl. moms)
810,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 7 280 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 90 | 12,972 kr |
| 100 - 240 | 11,661 kr |
| 250 - 490 | 10,487 kr |
| 500 + | 9,995 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8543P
- Tillv. art.nr:
- STS7NF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 21mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 21mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.65mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
TYPICAL RDS(on) = 0.017 Ω
LOW THRESHOLD DRIVE
STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY
APPLICATIONS
DC MOTOR DRIVE
DC-DC CONVERTERS
BATTERY MANAGEMENT INOMADIC EQUIPMENT
POWER MANAGEMENT IPORTABLE/DESKTOP Pcs