STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 188-8467P
- Tillv. art.nr:
- STD8N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 25 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
764,95 kr
(exkl. moms)
956,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 25 - 45 | 30,598 kr |
| 50 - 120 | 27,574 kr |
| 125 - 245 | 24,82 kr |
| 250 + | 23,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8467P
- Tillv. art.nr:
- STD8N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 710V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.17mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 710V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.17mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Worldwide best RDS(on) area
Higher VDSSrating
High dv/dt capability
Excellent switching performance
Easy to drive
Applications
Switching applications