Vishay N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA14DN

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

46,20 kr

(exkl. moms)

57,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 5 625 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +1,848 kr46,20 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4957
Tillv. art.nr:
SiSHA14DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA14DN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

26.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-16, +20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.4nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.93mm

Bredd

3.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.