Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA14DN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

183,45 kr

(exkl. moms)

229,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 825 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2257,338 kr183,45 kr
250 - 6006,971 kr174,28 kr
625 - 12256,236 kr155,90 kr
1250 - 24754,48 kr112,00 kr
2500 +3,521 kr88,03 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4957
Tillv. art.nr:
SiSHA14DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

SiSHA14DN

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

26.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.4nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.93mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Relaterade länkar