Vishay N Kanal, MOSFET, 150 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM60020E

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
188-4927
Tillv. art.nr:
SUM60020E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

150A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

SUM60020E

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

375W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

151.2nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.41mm

Bredd

9.65mm

Höjd

4.57mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® effekt-MOSFET

Maximal 175 °C förbindningstemperatur

Mycket låg Qgd minskar effektförlusten genom att passera genom Vplateau

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.