onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 186-7202
- Tillv. art.nr:
- NTR1P02LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 541,00 kr
(exkl. moms)
3 177,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,847 kr | 2 541,00 kr |
| 6000 - 9000 | 0,824 kr | 2 472,00 kr |
| 12000 - 15000 | 0,802 kr | 2 406,00 kr |
| 18000 - 21000 | 0,782 kr | 2 346,00 kr |
| 24000 + | 0,762 kr | 2 286,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 186-7202
- Tillv. art.nr:
- NTR1P02LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 350mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 350mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.01mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dessa miniatyra ytmonterade MOSFET:er med låg RDS(on) säkerställer minimal effektförlust och sparar energi, vilket gör dessa enheter idealiska för användning i utrymmeskänsliga strömhanteringskretsar. Typiska tillämpningar av dessa P-kanal småsignal-MOSFET:er är dc-dc-omvandlare och strömhantering i bärbara och batteridrivna produkter som datorer, skrivare, PCMCIA-kort, mobiltelefoner och sladdlösa telefoner.
Låg RDS(on) ger högre effektivitet och förlänger batteriets livslängd
Miniature SOT-23 ytmonterat hölje sparar utrymme på kortet
End Products
Datorer
Skrivare
PCMCIA-kort
Mobiltelefoner och sladdlösa telefoner
Användningsområden
DC/DC-omvandlare
Strömhantering i bärbara och batteridrivna produkter
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84L AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BVSS8L AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS331
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS P AEC-Q101