onsemi N Kanal, MOSFET, 533 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMTS0D6N04C AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 186-1425
- Tillv. art.nr:
- NVMTS0D6N04CTXG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
346,13 kr
(exkl. moms)
432,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 245 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 69,226 kr | 346,13 kr |
| 50 - 95 | 59,674 kr | 298,37 kr |
| 100 + | 51,734 kr | 258,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 186-1425
- Tillv. art.nr:
- NVMTS0D6N04CTXG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 533A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | NVMTS0D6N04C | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 480μΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 187nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.15mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Bredd | 8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 533A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie NVMTS0D6N04C | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 480μΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 187nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.15mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Bredd 8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Uppfyller ej RoHS
Automotive Power MOSFET i ett 8 x 8 mm platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. MOSFET- och PPAP-kapacitet lämplig för fordonstillämpningar.
Litet fotavtryck (8 x 8 mm)
Låg RDS(on)
Låg QG och kapacitans
Vätbart flankalternativ
PPAP-kapacitet
Kompakt design
Minimera ledningsförluster
Minimera drivförluster
Förbättrad optisk inspektion
Användningsområden
Reverserbatteriskydd
Växlande strömförsörjning
Strömbrytare (High Side-drivare, Low Side-drivare, H-bryggor etc.)
End Products
Motorstyrning – EPS, torkar, fläktar, säten, etc.
Lastomkopplare – ECU, chassi, kropp
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 533 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMTS0D6N04C AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 533 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMTS0D6N04C
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 477 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 313 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 337 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 316 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 433 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101