onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 554.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMTS0D6N04CL
- RS-artikelnummer:
- 186-1352
- Tillv. art.nr:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
91,62 kr
(exkl. moms)
114,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 45,81 kr | 91,62 kr |
| 20 - 198 | 39,535 kr | 79,07 kr |
| 200 - 998 | 34,27 kr | 68,54 kr |
| 1000 - 1998 | 30,13 kr | 60,26 kr |
| 2000 + | 27,33 kr | 54,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 186-1352
- Tillv. art.nr:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 554.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Serie | NTMTS0D6N04CL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 660μΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 245.4W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 126nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 554.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Serie NTMTS0D6N04CL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 660μΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 245.4W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 126nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Uppfyller ej RoHS
Litet fotavtryck (8 x 8 mm) för kompakt design
Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster
Låg QG och kapacitet för att minimera drivrutinsförluster
Dessa enheter är blyfria, halogenfria/BFR-fria
Typiska tillämpningar
Elverktyg, batteridrivna dammsugare
UAV/drönare, materialhantering
BMS/förvaring, hemautomation
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 554.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMTS0D6N04CL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 313 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 533 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMTS0D6N04C
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 398.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMTS001N06CL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 378 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS5C404N