onsemi N Kanal, MOSFET, 235 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS1D3N04C AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 185-9186
- Tillv. art.nr:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 4 enheter)*
127,90 kr
(exkl. moms)
159,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 740 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | 31,975 kr | 127,90 kr |
| 40 - 396 | 27,58 kr | 110,32 kr |
| 400 - 1996 | 23,913 kr | 95,65 kr |
| 2000 + | 21,028 kr | 84,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 185-9186
- Tillv. art.nr:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 235A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | NVMJS1D3N04C | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 128W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 235A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie NVMJS1D3N04C | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 128W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.2mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Uppfyller ej RoHS
- COO (ursprungsland):
- PH
Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm LFPAK-paket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. MOSFET- och PPAP-kapacitet lämplig för fordonstillämpningar som kräver förbättrad tillförlitlighet på kortnivå.
Litet fotavtryck (5 x 6 mm) för kompakt design
Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster
Låg QG och kapacitet för att minimera drivrutinsförluster
LFPAK8-paket, industristandard
PPAP-kapacitet
Dessa enheter är blyfria, halogenfria/BFR-fria
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 235 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS1D3N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 38 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS010N04CL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS011N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS014N06CL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS8D0N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS021N06CL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 252 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS1D3N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 164 A 60 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS2D5N06CL AEC-Q101