onsemi N Kanal, MOSFET, 103 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H824N AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 185-8155
- Tillv. art.nr:
- NVMFS6H824NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
12 700,50 kr
(exkl. moms)
15 876,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 8,467 kr | 12 700,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 185-8155
- Tillv. art.nr:
- NVMFS6H824NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 103A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | NVMFS6H824N | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 115W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Längd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 103A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie NVMFS6H824N | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 115W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.1mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Längd 5.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Uppfyller ej RoHS
- COO (ursprungsland):
- MY
Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm flatkabelpaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. MOSFET- och PPAP-kapacitet lämplig för fordonstillämpningar.
Litet fotavtryck (5 x 6 mm)
Låg RDS(on)
Låg QG och kapacitans
NVMFS6H818NWF – vätbart flankalternativ
PPAP-kapacitet
Kompakt design
Minimera ledningsförluster
Minimera drivförluster
Förbättrad optisk inspektion
Godkänd för fordonsindustrin
Användningsområden
Växlande strömförsörjning
Strömbrytare (High Side-drivare, Low Side-drivare, H-bryggor etc.)
48 V-system
End Products
Motorstyrning
Lastväxlare
DC/DC-omvandlare
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 103 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H824N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 337 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H801N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 203 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H800N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 123 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H818N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 110 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVM AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 89 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6D1N08H AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 8 Ben, DFN, FDWS AEC-Q101