onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 8 Ben, DFN, FDWS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
185-7988
Tillv. art.nr:
FDWS86068-F085
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

FDWS

Kapseltyp

DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

6.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

31nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

214W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.1mm

Höjd

1.05mm

Bredd

6.3mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Uppfyller ej RoHS

COO (ursprungsland):
PH
N-kanal PowerTrench® MOSFET 100 V, 80 A, 4,5 mΩ

Typisk RDS(on) = 5,2 mΩ vid VGS = 10 V, ID = 80 A

Typisk Qg(tot) = 31 nC vid VGS = 10 V, ID = 80 A

UIS-kapacitet

Dessa enheter är blyfria

Vätbara flanker för automatisk optisk inspektion (AOI)

Användningsområden

Motorstyrning i bilar

PowerTrain-hantering

Solenoid- och motordrivkretsar

Elektronisk styrning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.