onsemi N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, FDMS86181

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
181-1857
Tillv. art.nr:
FDMS86181
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

124A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

PQFN

Serie

FDMS86181

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

12mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Maximal effektförlust Pd

125W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5.85mm

Höjd

1.05mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH
Denna N-kanals MV MOSFET är tillverkad med en avancerad PowerTrench®-process som innehåller skärmad grindteknik. Denna process har optimerats för att minimera på-motståndet och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda med klassens bästa mjuka kroppsdiod.

MOSFET-teknik med skärmad grind

Max rDS(on) = 4, 2 mΩ vid VGS = 10 V, ID = 44 A

Max rDS(on) = 12 mΩ vid VGS = 6 V, ID = 22 A

ADD

50 % lägre Qrr än andra MOSFET-leverantörer

Lågt omkopplingsbrus/EMI

Denna produkt är avsedd för allmänt bruk och lämpar sig för många olika tillämpningar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.