Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 60 V, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 180-8310
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z24SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
556,10 kr
(exkl. moms)
695,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 50 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 11,122 kr | 556,10 kr |
| 100 - 200 | 10,566 kr | 528,30 kr |
| 250 + | 10,011 kr | 500,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8310
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z24SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.28Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 60W | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 2.79mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.28Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal effektförlust Pd 60W | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 2.79mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Vishay IRF9Z24S is a P-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -60V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having D2PAK (TO-263) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.28ohms at 10VGS. Maximum drain current -11A.
Advanced process technology
Surface mount
175 °C operating temperature
Relaterade länkar
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel 11 A 60 V, TO-263
- Vishay Typ N Kanal Enkel 11 A 500 V, TO-263
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel 6.8 A 100 V, TO-263
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel 11 A 60 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel 120 A 60 V TO-263, SQM AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal 110 A 80 V TO-263
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 50 A 60 V TO-263
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 5.2 A 200 V, TO-263
