Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.2 A 5.5 V, 6 Ben, SC-70-6, SiP32431DR
- RS-artikelnummer:
- 180-7822
- Tillv. art.nr:
- SIP32431DR3-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
102,38 kr
(exkl. moms)
127,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 175 enhet(er) från den 23 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 4,095 kr | 102,38 kr |
| 250 - 600 | 3,889 kr | 97,23 kr |
| 625 - 1225 | 3,476 kr | 86,90 kr |
| 1250 - 2475 | 2,50 kr | 62,50 kr |
| 2500 + | 2,424 kr | 60,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7822
- Tillv. art.nr:
- SIP32431DR3-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 5.5V | |
| Kapseltyp | SC-70-6 | |
| Serie | SiP32431DR | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 147mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 250mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 2.15mm | |
| Bredd | 2.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 5.5V | ||
Kapseltyp SC-70-6 | ||
Serie SiP32431DR | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 147mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 250mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 2.15mm | ||
Bredd 2.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SiP32431DR-serien MOSFET från Vishay, 5,5 V maximal drain-källspänning, 1,2 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIP32431DR3-T1GE3
Denna MOSFET är en P-kanal, ytmonterad transistor som är utformad för lågspänningsomkopplingsuppgifter i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för strömhantering på kortnivå där liten kapslingsstorlek och blygsam strömhantering krävs.
Funktioner och fördelar:
• Låg påslagningsresistans på 147 mΩ möjliggör minskade ledningsförluster
• Kontinuerlig dräneringsström med 1.2 A för stabila omkopplingslaster
• Drain-source-spänningsgräns på 5,5 V lämplig för lågspänningssystem
• Effektförlustkapacitet på 250 mW för måttliga termiska belastningar
• RoHS-kompatibel konstruktion som stöder blyfri tillverkning
• Kontinuerlig dräneringsström med 1.2 A för stabila omkopplingslaster
• Drain-source-spänningsgräns på 5,5 V lämplig för lågspänningssystem
• Effektförlustkapacitet på 250 mW för måttliga termiska belastningar
• RoHS-kompatibel konstruktion som stöder blyfri tillverkning
Användningsområden
• Lämplig för strömförsörjningsvägar för handhållna och bärbara enheter
• Idealisk för batteriskydd och lastomkopplarkretsar
• Används med kompakt konsumentelektronik och kroppsnära enheter
• Kan användas för skydd mot omvänd polaritet vid låg spänning
• Lämplig för tätt belägna SMD-enheter
• Idealisk för batteriskydd och lastomkopplarkretsar
• Används med kompakt konsumentelektronik och kroppsnära enheter
• Kan användas för skydd mot omvänd polaritet vid låg spänning
• Lämplig för tätt belägna SMD-enheter
Vilken monteringsstil krävs för integrering på ett kort?
Den levereras i en sexpolig SC-70-6-förpackning för ytmontering avsedd för omsmältningslödning och nära placering av komponenter.
Hur påverkar temperaturen dess arbetsområde?
Enheten är specifik för att fungera från -40 °C upp till 85 °C, vilket möjliggör användning i typiska industriella och konsumentmiljöförhållanden.
Vilket antal stift och kanalpolaritet bör designers förvänta sig?
Komponenten har sex stift och använder en P-typ-kanal för hög-side-switcharrangemang.
Finns det storleksbegränsningar som är viktiga för kompakta konstruktioner?
Paketets höjd, längd och bredd mäter 1,1 mm, 2,15 mm respektive 2,2 mm, vilket möjliggör implementeringar med mycket litet fotavtryck.
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.2 A 5.5 V, 6 Ben, SC-70-6, SiP32431DR
- Littelfuse, TVS-diodarray 5, Enkelriktad, 5.5 V, 6 Ben, SC-70
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 6 V MOSFET, 6 Ben, SC-70, MIC94052
- Texas Instruments, ESD-skyddsdiod, 45 W, Enkelriktad, 5.5 V, 6 Ben, SC-70
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 6 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, MIC9405
- onsemi, Digital transistor SC-70 P-kanal, 6 Ben Yta
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -2 A -20 V, 6 Ben, SC-70, SI1427EDH
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, SiA461DJ
