onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN
- RS-artikelnummer:
- 178-4314
- Tillv. art.nr:
- NTMFD5C674NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
9 199,50 kr
(exkl. moms)
11 499,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 6,133 kr | 9 199,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-4314
- Tillv. art.nr:
- NTMFD5C674NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 37W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 37W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.1mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Industriell effekt-MOSFET i ett 5 x 6 mm platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda.
Låg påslagningsresistans
Hög strömkapacitet
Litet fotavtryck (5 x 6 mm)
Fördelar
Minimala ledningsförluster
Robust belastningsprestanda
Kompakt design
Användningsområden
Motorstyrning
Synkron DC till DC-regulator
Strömbrytare (High Side Driver, Low Side Driver, H-bryggor etc)
Batterihantering och skydd
End Products
Batteripaket
Nätaggregat
Roterande drönare
Elverktyg
Ström via Ethernet (PoE)
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 25 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 74 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 127 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 29 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101