onsemi N Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

21 330,00 kr

(exkl. moms)

26 662,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,532 kr21 330,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-4231
Tillv. art.nr:
FDD86250-F085
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

TO-252

Serie

FDD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

160W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.25V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.73mm

Höjd

2.39mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
PH
N-kanalskärmad grind PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Typisk RDS(on) = 19,4 mΩ vid VGS = 10 V, ID = 20 A

Typisk Qg(tot) = 28 nC vid VGS = 10 V, ID = 40 A

UIS-kapacitet

Användningsområden:

Motorstyrning i bilar

PowerTrain-hantering

Solenoid- och motordrivkretsar

Distribuerade strömförsörjningsarkitekturer och VRM

Primäromkopplare för 12 V-system

Slutprodukter:

Integrerad starter/alternator

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.