Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-3910
- Tillv. art.nr:
- SQA405EJ-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 178-3910
- Tillv. art.nr:
- SQA405EJ-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SC-70-6L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.035Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 13.6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SC-70-6L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.035Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 13.6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
TrenchFET® effekt-MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 2.68 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -4.53 A -80 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70W-6L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -8.7 A -40 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70W-6L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70W-6L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101