Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- RS-artikelnummer:
- 178-0862
- Tillv. art.nr:
- IRFI9610GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
920,65 kr
(exkl. moms)
1 150,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 18,413 kr | 920,65 kr |
| 100 - 200 | 17,308 kr | 865,40 kr |
| 250 - 450 | 15,653 kr | 782,65 kr |
| 500 - 1200 | 14,73 kr | 736,50 kr |
| 1250 + | 13,812 kr | 690,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-0862
- Tillv. art.nr:
- IRFI9610GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | IRFI | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -5.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 27W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.8mm | |
| Längd | 10.63mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie IRFI | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -5.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 27W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.8mm | ||
Längd 10.63mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays tredje generationens effekt-MOSFET-transistorer ger designern den bästa kombinationen av snabb switchning, robust enhetsdesign, låg påslagningsresistans och kostnadseffektivitet. TO-220 FULLPAK eliminerar behovet av ytterligare isolerande hårdvara i kommersiella industriella tillämpningar. Den använda gjutningsmassa ger en hög isoleringskapacitet och ett lågt termiskt motstånd mellan fliken och det externa kylelementet.
Dynamisk dV/dt-klassning
Låg värmeresistans
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 9.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI