Microchip N Kanal, MOSFET, 640 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN0300
- RS-artikelnummer:
- 177-9871P
- Tillv. art.nr:
- VN0300L-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 124,30 kr
Visa alternativ för volympriserAntal 30 enheter (levereras i en påse)*
408,57 kr
(exkl. moms)
510,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 13,619 kr | - |
| 100 + | 12,376 kr | 124,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 177-9871P
- Tillv. art.nr:
- VN0300L-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 640mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | VN0300 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.06mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.08mm | |
| Höjd | 5.33mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 640mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie VN0300 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.06mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.08mm | ||
Höjd 5.33mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Mikrochipteknik MOSFET
Microchip Technology genomgående hålmonterad N-kanal MOSFET är en ny produkt med en drain-source spänning på 30V och en maximal gate-source spänning på 30V. Den har ett drain-source-motstånd på 1,2 ohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en kontinuerlig dräneringsström på 640 mA och en maximal effektförlust på 1 W. Minsta och högsta drivspänning för denna MOSFET är 5V respektive 10V. MOSFET:en är en förstärknings-MOSFET (normalt avstängd) som använder en vertikal DMOS-struktur och en väl beprövad tillverkningsprocess med kiselgrindar. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringsförmåga som bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som MOS-enheter har. En viktig egenskap hos alla MOS-strukturer är att denna enhet är fri från termisk flykt och termiskt inducerad sekundär nedbrytning. Denna vertikala DMOS FET har optimerats för lägre switch- och ledningsförluster. MOSFET:en ger utmärkt effektivitet och en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Enkel synkronisering
• Utmärkt värmestabilitet
• Fri från sekundära avbrott
• Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
• Drain-diod med integrerad källa
• Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
• Låga effektkrav för drivning
• Driftstemperaturer mellan -55°C och 150°C
Användningsområden
• Förstärkare
• Omvandlare
• Drivdon: reläer, hammare, solenoider, lampor, minnen, displayer, bipolära transistorer etc.
• Motorstyrning
• Strömförsörjningskretsar
• Omkopplare
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC