Microchip N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN2106
- RS-artikelnummer:
- 177-9850P
- Tillv. art.nr:
- TN2106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 9%
Visa alternativ för volympriserAntal 40 enheter (levereras i en påse)*
261,64 kr
(exkl. moms)
327,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 780 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 40 - 80 | 6,541 kr | - |
| 100 + | 5,914 kr | 9% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 177-9850P
- Tillv. art.nr:
- TN2106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TN2106 | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 740mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.08mm | |
| Höjd | 5.33mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.06mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TN2106 | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 740mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.08mm | ||
Höjd 5.33mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.06mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Denna transistor med låg tröskel och enhancement-mode (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och en väl beprövad tillverkningsprocess med kiselgrindar. Denna kombination ger en enhet med bipolära transistorers effekthanteringsegenskaper och MOS-enheternas höga ingångsimpedans och positiva temperaturkoefficient. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termisk flykt och termiskt inducerad sekundär nedbrytning. Vertikala DMOS FETs är idealiska för ett stort antal switch- och förstärkarapplikationer där man vill ha mycket låg tröskelspänning, hög genomslagsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba switchhastigheter.
Fri från sekundära avbrott
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
Utmärkt värmestabilitet
Integrerad käll- och dräneringsdiod
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning