Microchip N Kanal, MOSFET, 350 mA 90 V Förbättring, 3 Ben, TO-39, 2N6661
- RS-artikelnummer:
- 177-9750P
- Tillv. art.nr:
- 2N6661
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal 1 enhet (levereras i en påse)*
160,38 kr
(exkl. moms)
200,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 55 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 160,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 177-9750P
- Tillv. art.nr:
- 2N6661
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 90V | |
| Kapseltyp | TO-39 | |
| Serie | 2N6661 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.25W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.6mm | |
| Bredd | 9.398mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 90V | ||
Kapseltyp TO-39 | ||
Serie 2N6661 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 6.25W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.6mm | ||
Bredd 9.398mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchip Technology MOSFET
Microchip Technology genomgående hålmonterad N-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med en dräneringskällspänning på 90 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har drain-source-motstånd på 4 ohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en kontinuerlig dräneringsström på 350 mA och en maximal effektförlust på 6,25 W. Minsta och maximala drivspänning för denna MOSFET är 5 V respektive 10 V. MOSFET är en MOSFET med förstärkningsläge (normalt avstängd) som använder en vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. En viktig egenskap för alla MOS-strukturer, denna enhet är fri från termisk runaway och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Denna vertikala DMOS FET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Enkel synkronisering
• Utmärkt värmestabilitet
• Fri från sekundära avbrott
• Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
• Integrerad käll- och avtappningsdiod
• Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
• Låga effektkrav för drivning
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
Användningsområden
• Förstärkare
• Omvandlare
• Drivare: reläer, hammare, solenoider, lampor, minnen, displayer, bipolära transistorer, etc.
• Motorstyrning
• Strömförsörjningskretsar
• Omkopplare
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007