Microchip 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 350 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0110
- RS-artikelnummer:
- 177-9742P
- Tillv. art.nr:
- TN0110N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 177-9742P
- Tillv. art.nr:
- TN0110N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Kanaltyp | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 350 mA | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 100 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | TN0110 | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.5 V | |
| Höjd | 5.33 mm | |
| Längd | 5.08 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 4.5 Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 1 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Bredd | 4.06 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Antal element per chip 1 | ||
Kanaltyp N | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 350 mA | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 100 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie TN0110 | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.5 V | ||
Höjd 5.33 mm | ||
Längd 5.08 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 4.5 Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 1 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Bredd 4.06 mm | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 50pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage