ROHM N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R6520ENX
- RS-artikelnummer:
- 177-6115
- Tillv. art.nr:
- R6520ENX
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Antal (500 enheter, i en påse med 500)*
11 732,50 kr
(exkl. moms)
14 665,50 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 500 + | 23,465 kr | 11 732,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 177-6115
- Tillv. art.nr:
- R6520ENX
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220FM | |
| Serie | R6520ENX | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.3mm | |
| Bredd | 4.8mm | |
| Höjd | 15.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220FM | ||
Serie R6520ENX | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.3mm | ||
Bredd 4.8mm | ||
Höjd 15.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- JP
R6520ENX är en effekt-MOSFET med lågt motstånd under drift och snabb omkoppling, lämplig för omkopplingsanvändning.
Låg på-resistans
Snabb kopplingshastighet
Parallell användning är enkel
Blyfri plätering
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R6520ENX
- ROHM N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R6520KNX
- ROHM N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM
- ROHM N Kanal, MOSFET, 1.6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM
- ROHM N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R6012JNX
- ROHM N Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R60
- ROHM N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R60
- ROHM N Kanal, MOSFET, 14 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R60