Microchip N Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-243, DN2540
- RS-artikelnummer:
- 177-3294P
- Tillv. art.nr:
- DN2540N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 99,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal 30 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
304,41 kr
(exkl. moms)
380,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 860 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 10,147 kr | - |
| 100 + | 9,15 kr | 99,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 177-3294P
- Tillv. art.nr:
- DN2540N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Kapseltyp | TO-243 | |
| Serie | DN2540 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 25Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Längd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Kapseltyp TO-243 | ||
Serie DN2540 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 25Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.6mm | ||
Längd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- US
DN2540 är en transistor med låg tröskelförbrukningsläge (normalt på) som använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett spektrum av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Ytterligare funktioner:
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundär störning Lågt ingångs- och utgångsläckage