Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.6 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 927,00 kr

(exkl. moms)

19 908,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,309 kr15 927,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
173-0711
Tillv. art.nr:
IRFR210TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

IRFR

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Genomgående hål, Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.2nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

25W

Framåtriktad spänning Vf

2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.73mm

Höjd

2.38mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY

N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.