onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, FCB
- RS-artikelnummer:
- 172-4630
- Tillv. art.nr:
- FCB199N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
319,31 kr
(exkl. moms)
399,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 31,931 kr | 319,31 kr |
| 100 - 240 | 27,541 kr | 275,41 kr |
| 250 + | 23,867 kr | 238,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 172-4630
- Tillv. art.nr:
- FCB199N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | FCB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 199mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 98W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie FCB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 199mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 98W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
SuperFET® III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SuperFET III MOSFET mycket lämplig för olika kraftsystem för miniatyrisering och högre effektivitet.
700 V vid TJ = 150 oC
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 30 nC)
Lägre omkopplingsförlust
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 277 pF)
Lägre omkopplingsförlust
Optimerad kapacitans
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Intern grindresistans: 7,0 ohm
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Typiskt RDS(on) = 170 mΩ
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, FCB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET och diod, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUPERFET III