onsemi N Kanal, MOSFET, 59 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, NVD5C464N AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 172-3367
- Tillv. art.nr:
- NVD5C464NT4G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
440,95 kr
(exkl. moms)
551,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 17,638 kr | 440,95 kr |
| 100 - 225 | 15,205 kr | 380,13 kr |
| 250 + | 13,18 kr | 329,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 172-3367
- Tillv. art.nr:
- NVD5C464NT4G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 59A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | NVD5C464N | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.25mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 59A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie NVD5C464N | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.25mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
SuperFET® III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SuperFET III MOSFET mycket lämplig för olika kraftsystem för miniatyrisering och högre effektivitet.
700 V vid TJ = 150 oC
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 259 nC)
Lägre omkopplingsförlust
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 1972 pF)
Lägre omkopplingsförlust
Utmärkt kroppsdiodprestanda (låg Qrr, robust kroppsdiod)
Högre systemtillförlitlighet i LLC- och fasförskjutningskrets med full brygga
Optimerad kapacitans
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Typiskt RDS(on) = 23 mΩ
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 59 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, NVD5C464N AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 59 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AG096F AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 252 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS1D3N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 88 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 83 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD3055L104 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 163 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NVD5C434N AEC-Q101