onsemi N Kanal, MOSFET, 51 A 30 V Förbättring, 6 Ben, DFN, NVMFS4C310N AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
172-3329
Tillv. art.nr:
NVMFS4C310NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

51A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

DFN

Serie

NVMFS4C310N

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

32W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.7nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

800mV

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.1mm

Höjd

1.05mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster

Låg kapacitans för att minimera drivförluster

Optimerad grindladdning för att minimera omkopplingsförluster

NVMFS4C310NWF – alternativ med vätbara flanker för förbättrad optisk inspektion

Dessa enheter är blyfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.