onsemi N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS5C670NL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 171-8388
- Tillv. art.nr:
- NVMFS5C670NLWFAFT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
379,80 kr
(exkl. moms)
474,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 300 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 18,99 kr | 379,80 kr |
| 200 - 480 | 16,369 kr | 327,38 kr |
| 500 + | 14,191 kr | 283,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-8388
- Tillv. art.nr:
- NVMFS5C670NLWFAFT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 71A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | NVMFS5C670NL | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 61W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.1mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 71A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie NVMFS5C670NL | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 61W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.1mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm flatkabelpaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. PPAP-kompatibel, lämplig för fordonstillämpningar.
Låg RDS(on)
Minimera ledningsförluster
Låg QG- och gate-kapacitans
Minimera omkopplingsförluster
Industristandard 5 x 6 mm-paket Bransch
Kompakt design och standardfotavtryck för direkt inmatning
Klassens bästa FOM (RDS(ON) x QG)
Ökad effektivitet, lägre effektförlust
Reverserbatteriskydd
Växlande strömförsörjning
Strömbrytare (High Side-drivare, Low Side-drivare, H-bryggor etc.)
Solenoiddrivare – ABS, bränsleinsprutning
Motorstyrning – EPS, torkar, fläktar, säten, etc.
Lastomkopplare – ECU, chassi, kropp
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS5C670NL AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 477 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 313 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 337 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 316 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 433 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101