Infineon N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5

RS-artikelnummer:: 171-1991P
Tillv. art.nr:: IPT015N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5

Antal 5 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

336,67 kr

(exkl. moms)

420,84 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 155 enhet(er) från den 28 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
5 +	67,334 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 171-1991P
Tillv. art.nr:: IPT015N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	300A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	HSOF
	Serie	IPT015N10N5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	9
	Maximal drain-källresistans Rds	2mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	169nC
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	10.58mm
	Längd	10.1mm
	Höjd	2.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp HSOF
	Serie IPT015N10N5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 9
	Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 169nC
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 10.58mm
	Längd 10.1mm
	Höjd 2.4mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon IPT015N10N5-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 300 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPT015N10N5ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalsomkopplingsenhet med hög strömstyrka som är utformad för strömomvandling och motorstyrning i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterade enheter där robust ledning och snabb omkoppling krävs. Komponenten passar designers som söker en kompakt transistor med hög effekt för tillämpningar som kräver betydande avtappningsströmmar och hantering av förhöjd spänning.

Funktioner och fördelar:

• 100 V avtappningsspänning möjliggör högre spänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 300 A stöder höga strömbelastningar
• 2 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• 169 nC typisk grindladdning minskar energiförluster vid omkoppling
• Maximal effektförlust på 375 W möjliggör drift med hög effekt
• 20 V grindtolerans möjliggör flexibla grinddrivarspänningar

Användningsområden

• Lämplig för motorstyrningsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med växelriktarmoduler för industriella drivenheter
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i kraftsystem
• Lämplig för drag- eller framdrivningselektronik

Vilket temperaturområde kan jag förvänta mig för tuffa miljöer?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 175 °C, och passar för förhöjda kopplingsförhållanden.

Vilken monteringsmetod krävs för kretskortsintegrering?

Enheten är avsedd för ytmontering i en HSOF-förpackning för automatiserad montering.

Hur många stift finns tillgängliga för anslutning och layoutplanering?

Kapseln har nio stift, vilket möjliggör robusta strömvägar och gate/drain/source-arrangemang.

Vilket kanalläge och -typ använder den för omkopplingstopologi?

Enheten är en N-kanal MOSFET som drivs i förstärkningsläge, lämplig för låg- eller hög-sidan med lämplig grindstyrning.