Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 214 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- RS-artikelnummer:
- 168-7773
- Tillv. art.nr:
- TK100E08N1
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Antal (1 rör med 50 enheter)*
1 684,60 kr
(exkl. moms)
2 105,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 450 enhet(er) från den 31 augusti 2026
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 31 augusti 2026
- Dessutom levereras 2 150 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 33,692 kr | 1 684,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7773
- Tillv. art.nr:
- TK100E08N1
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 214A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 255W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 15.1mm | |
| Längd | 10.16mm | |
| Bredd | 4.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 214A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie TK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 255W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 15.1mm | ||
Längd 10.16mm | ||
Bredd 4.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 214 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 207 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK