STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- RS-artikelnummer:
- 168-7620
- Tillv. art.nr:
- STW38N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 533,51 kr
(exkl. moms)
1 916,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 51,117 kr | 1 533,51 kr |
| 150 + | 50,486 kr | 1 514,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7620
- Tillv. art.nr:
- STW38N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 710V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 71nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 710V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics
Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 84 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 710 V Förbättring, 3 Ben, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 710 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5