STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 168-7523
- Tillv. art.nr:
- STP9NK70ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Lägg till 250 till för att spara 544,25 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 223,05 kr
(exkl. moms)
1 528,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 24,461 kr | 1 223,05 kr | - |
| 250 - 450 | 22,284 kr | 1 114,20 kr | 544,25 kr |
| 500 + | 19,887 kr | 994,35 kr | 2 287,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7523
- Tillv. art.nr:
- STP9NK70ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.4mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 8.6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
