IXYS 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 82 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Q3-Class
- RS-artikelnummer:
- 168-4696
- Tillv. art.nr:
- IXFB82N60Q3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 25 enheter)*
9 722,60 kr
(exkl. moms)
12 153,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 + | 388,904 kr | 9 722,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-4696
- Tillv. art.nr:
- IXFB82N60Q3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 82A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PLUS264 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 26.59mm | |
| Längd | 20.29mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 82A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PLUS264 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 26.59mm | ||
Längd 20.29mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
- COO (ursprungsland):
- US
Effekt-MOSFET med N-kanal, IXYS HiperFETTM Q3-serien
IXYS Q3-klassen av HiperFETTM Power MOSFET-enheter är lämpliga för både hårdkopplings- och resonanstillämpningar och erbjuder låg grindladdning med exceptionell robusthet. Enheterna har en snabb inre diod och finns i en mängd olika industristandardhus, inklusive isolerade typer, med märke på upp till 1100 V och 70 A. Typiska tillämpningar inkluderar DC/DC-omvandlare, batteriladdare, strömförsörjningar i omkopplings- och resonansläge, likspänningskopplingar, temperatur- och belysningsreglering.
Snabb inbyggd likriktardiod
Låg RDS(on) och QG (gate laddning)
Låg inneboende grindresistans
Industriella standardpaket
Låg induktans i paketet
Hög effekttäthet
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett sortiment av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 82 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 500 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 32 A 800 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class