onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.9 A 30 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

10 341,00 kr

(exkl. moms)

12 927,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,447 kr10 341,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-1723
Tillv. art.nr:
FDMA3023PZ
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

MLP

Serie

PowerTrench

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

240mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.9nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8 V

Maximal effektförlust Pd

1.4W

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

2mm

Höjd

0.75mm

Bredd

2 mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar