Vishay N Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4164DY

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

17 875,00 kr

(exkl. moms)

22 350,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +7,15 kr17 875,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7275
Tillv. art.nr:
SI4164DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

TrenchFET effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

Si4164DY

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0032Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6W

Framåtriktad spänning Vf

0.72V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

JEDEC JS709A, RoHS

Höjd

1.55mm

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW

N-kanal MOSFET, 30 V till 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.