Vishay N Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4164DY
- RS-artikelnummer:
- 165-7275
- Tillv. art.nr:
- SI4164DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 165-7275
- Tillv. art.nr:
- SI4164DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | TrenchFET effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | Si4164DY | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0032Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 720mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.55mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC JS709A, RoHS | |
| Bredd | 4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp TrenchFET effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie Si4164DY | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0032Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 720mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.55mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC JS709A, RoHS | ||
Bredd 4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
N-kanal MOSFET, 30 V till 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4164DY
- Vishay 2 N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 4.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 10.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET