Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 272 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, NexFET
- RS-artikelnummer:
- 162-9739
- Tillv. art.nr:
- CSD19536KTTT
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Antal (1 rulle med 50 enheter)*
1 609,30 kr
(exkl. moms)
2 011,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 450 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 50 + | 32,186 kr | 1 609,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 162-9739
- Tillv. art.nr:
- CSD19536KTTT
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Texas Instruments | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 272A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | NexFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Texas Instruments | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 272A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie NexFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanal NexFETTM effekt-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-transistorer, Texas Instruments
Relaterade länkar
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 272 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 204 A 40 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SON, NexFET