International Rectifier Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, IRLML2502
- RS-artikelnummer:
- 162-3304P
- Tillv. art.nr:
- IRLML2502TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- International Rectifier
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 200 enheter (levereras i en rulle)*
486,20 kr
(exkl. moms)
607,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 41 520 enhet(er) levereras från den 24 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 200 - 480 | 2,431 kr |
| 500 - 980 | 2,263 kr |
| 1000 - 1980 | 1,456 kr |
| 2000 + | 1,171 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 162-3304P
- Tillv. art.nr:
- IRLML2502TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- International Rectifier
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | International Rectifier | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | IRLML2502 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke International Rectifier | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie IRLML2502 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.02mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Uppfyller ej RoHS
20 V enkla N-kanal HEXFET-effekt-MOSFET i en Micro 3-kapsel
SOT-23-paket med stiftkonfiguration enligt industristandard
Kompatibel med befintliga ytmonteringstekniker Halogenfri
Kompatibilitet med flera leverantörer
Enklare tillverkning
Miljövänlig tång
Ökad tillförlitlighet
Relaterade länkar
- International Rectifier Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, IRLML2502
- N-Channel MOSFET Transistor, 2 A, 55 V, 3-Pin SOT-223 International Rectifier AUIRLL014N
- International Rectifier MOSFET, MOSFET, 2 A, 6 Ben 60 V, PDIP
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG3414U AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2302U AEC-Q101
- International Rectifier IR2177SPBF, Current Sensor IC 16-Pin, SOIC W