International Rectifier Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, IRLML2502

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal 200 enheter (levereras i en rulle)*

365,60 kr

(exkl. moms)

457,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 67 220 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
200 - 4801,828 kr
500 - 9801,704 kr
1000 - 19801,097 kr
2000 +0,856 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
162-3304P
Tillv. art.nr:
IRLML2502TRPBF
Tillverkare / varumärke:
International Rectifier
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

International Rectifier

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

IRLML2502

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

1.25W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.04mm

Höjd

1.02mm

Fordonsstandard

Nej

Uppfyller ej RoHS

20 V enkla N-kanal HEXFET-effekt-MOSFET i en Micro 3-kapsel

SOT-23-paket med stiftkonfiguration enligt industristandard

Kompatibel med befintliga ytmonteringstekniker Halogenfri

Kompatibilitet med flera leverantörer

Enklare tillverkning

Miljövänlig tång

Ökad tillförlitlighet

Relaterade länkar