Nexperia N Kanal, MOSFET, 26 A 80 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M3580E AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 153-0640
- Tillv. art.nr:
- BUK9M35-80EX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
221,75 kr
(exkl. moms)
277,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 8,87 kr | 221,75 kr |
| 125 - 225 | 6,527 kr | 163,18 kr |
| 250 - 600 | 6,29 kr | 157,25 kr |
| 625 - 1225 | 6,026 kr | 150,65 kr |
| 1250 + | 5,036 kr | 125,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 153-0640
- Tillv. art.nr:
- BUK9M35-80EX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | BUK9M3580E | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 88mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 15V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 62W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.6mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie BUK9M3580E | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 88mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 15V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 62W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.6mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal 80 V, 35 mΩ logiknivå MOSFET i LFPAK33, logiknivå N-kanal MOSFET i ett LFPAK33 (Power33)-paket med TrenchMOS-teknik. Denna produkt har utformats och kvalificerats enligt AEC Q101-standard för användning i högpresterande fordonstillämpningar.
Q101-kompatibel
Repeterande lavinrörelse
Lämplig för termiskt krävande miljöer tack vare 175 °C-klassning
Sann logiknivågrind med VGS(th)-klassning på mer än 0,5 V vid 175 °C
12 V, 24 V och 48 V fordonssystem
Motorer, lampor och magnetventilstyrning
Överföringskontroll
Extremt högpresterande strömomkoppling
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 26 A 80 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M3580E AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 33 A 80 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M2880E AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M43100E AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 32 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 29 A 100 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M34100E AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 12.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M8560E AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 53 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, BUK7M1260E AEC-Q101