onsemi N Kanal, MOSFET, 51 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 146-4116
- Tillv. art.nr:
- FDMS86183
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
378,10 kr
(exkl. moms)
472,63 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 25 - 75 | 15,124 kr | 378,10 kr | - |
| 100 - 225 | 13,037 kr | 325,93 kr | 13% |
| 250 + | 11,308 kr | 282,70 kr | 25% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4116
- Tillv. art.nr:
- FDMS86183
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.85mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.85mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 100 V till 1700 V, ON-halvledare
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 51 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 61 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 126 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PQFN-8, PowerTrench Power Clip
- onsemi N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, FDMS86181
- onsemi N Kanal, MOSFET, 32 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTMFS006N08MC
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerTrench