onsemi N Kanal, MOSFET, 8.8 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, QFET
- RS-artikelnummer:
- 145-5379
- Tillv. art.nr:
- FQPF9N25C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 145-5379
- Tillv. art.nr:
- FQPF9N25C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-220F | |
| Serie | QFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 430mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30, -30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Längd | 10.16mm | |
| Höjd | 9.19mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-220F | ||
Serie QFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 430mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30, -30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4.7mm | ||
Längd 10.16mm | ||
Höjd 9.19mm | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
QFET® N-kanal MOSFET, 6 A till 10,9 A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nya QFET® planar MOSFET-transistorer använder avancerad, proprietär teknik för att erbjuda bäst prestanda i klassen för ett brett spektrum av tillämpningar, inklusive strömförsörjning, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, plasma Display Panels (PDP), belysningsförkopplingar och rörelsestyrning.
De erbjuder minskad on-state-förlust genom att sänka on-resistansen (RDS(on)), och minskad switching-förlust genom att sänka grindladdningen (Qg) och utgångskapaciteten (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad meritfaktor (FOM) jämfört med konkurrerande planära MOSFET-enheter.
MOSFET-transistorer, ON Semi
><
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, QFET MOSFET, 9.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.4 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, QFET
- onsemi 1 Typ P, Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 3.4 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, UniFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi QFET N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V, 3-Pin TO-220F FQPF33N10L