Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 12 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9530S
- RS-artikelnummer:
- 145-1593
- Tillv. art.nr:
- IRF9530SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 145-1593
- Tillv. art.nr:
- IRF9530SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | IRF9530S | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -100V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 88W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie IRF9530S | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -100V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal effektförlust Pd 88W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100 V till 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 12 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9530S
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.8 A 100 V, TO-263
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 60 V, TO-263
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 110 A 80 V, 3 Ben, TO-263
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF830A
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- STMicroelectronics P-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 2 Ben, TO-252, G-HEMT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SuperMESH effekt-MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH