ROHM N Kanal, MOSFET, 3.7 A 1.7 kV Förbättring, 3 Ben, TO-3PFM, SCT2H12NZ

Få en mängdrabatt

Lägg till 20 till för att spara -

Visa alternativ för volympriser

Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*

786,25 kr

(exkl. moms)

982,81 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 44 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Besparing
10 - 1878,625 kr-
20 - 9878,23 kr-
100 - 19877,335 kr1%
200 +75,935 kr3%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
133-2860P
Tillv. art.nr:
SCT2H12NZGC11
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.7kV

Kapseltyp

TO-3PFM

Serie

SCT2H12NZ

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

35W

Framåtriktad spänning Vf

4.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-6V, +22V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

21mm

Längd

16mm

Standarder/godkännanden

Pb-free lead plating, RoHS

Bredd

5mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.