Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CFD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (30 enheter, i ett rör med 30)*

1 580,55 kr

(exkl. moms)

1 975,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 240 enhet(er) levereras från den 08 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +52,685 kr1 580,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-8815
Tillv. art.nr:
IPW65R080CFDAFKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

43A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

CoolMOS CFD

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

167nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30, +30V

Maximal effektförlust Pd

391W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.21mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

16.13mm

Höjd

21.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.