ROHM N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, RU1J002YN

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 500 enheter (levereras i en rulle)*

284,50 kr

(exkl. moms)

355,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 700 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
500 - 9000,569 kr
1000 - 24000,535 kr
2500 - 49000,475 kr
5000 +0,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
124-6836P
Tillv. art.nr:
RU1J002YNTCL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

50V

Kapseltyp

SOT-323

Serie

RU1J002YN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

150mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.1mm

Bredd

1.35mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.