onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- RS-artikelnummer:
- 124-1758
- Tillv. art.nr:
- FQP47P06
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 250 till för att spara 165,75 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 277,45 kr
(exkl. moms)
1 596,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 750 enhet(er) från den 06 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 25,549 kr | 1 277,45 kr | - |
| 250 - 450 | 24,886 kr | 1 244,30 kr | 165,75 kr |
| 500 + | 24,27 kr | 1 213,50 kr | 639,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-1758
- Tillv. art.nr:
- FQP47P06
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 47A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | QFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 26mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25V, +25V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.4mm | |
| Längd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 47A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie QFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 26mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V | ||
Framåtriktad spänning Vf -4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.4mm | ||
Längd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
QFET® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nya plana QFET® MOSFETs använder avancerad, egenutvecklad teknik för att erbjuda förstklassig driftprestanda för ett brett spektrum av applikationer, inklusive strömförsörjning, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, Plasma Display Panels (PDP), belysningsballaster och rörelsekontroll.
De ger minskad on-state-förlust genom lägre on-resistans (RDS(on)) och minskad switchförlust genom lägre grindladdning (Qg) och utgångskapacitans (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad FOM (figure of merit) jämfört med konkurrerande plana MOSFET-enheter.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 5.2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi Typ P Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET